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本发明公开了一种混合极性的GaN器件，所述GaN器件涉及带有二维载流子气沟道的场效应晶体管技术领域。所述GaN器件自下而上包括衬底层、N‑polar GaN缓冲层、Al组分x递增式渐变的第一N‑polar AlxGaN层，Al组分x保持常量...
该专利属于石家庄学院所有，仅供学习研究参考，未经过石家庄学院授权不得商用。

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