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本发明公开了一种并联结构的LED芯片及其制造方法，包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，其特征在于，外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由隔离槽隔离形成若干隔离...
该专利属于聚灿光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技股份有限公司授权不得商用。

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