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本发明涉及一种化学场效应晶体管气敏传感器及其制造方法，所述气敏传感器具有至少一个场效应晶体管，其包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的源区、漏区；形成在源区与漏区之间的衬底表面上的沟道区；形成在沟道区上的绝缘层；以及形成在绝缘层上的敏感层，...
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