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一种LED芯片结构及其制造方法技术
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文档序号:13360686
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本发明公开一种LED芯片结构,包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层,该第二型半导体层中具有暴露区,该暴露区暴露出部份第一型半导体层;该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层;该第二型半导体层上具有第二电极延伸层;该第二型...
该专利属于晶宇光电(厦门)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶宇光电(厦门)有限公司授权不得商用。
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