温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构，LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的低温缓冲层；位于低温缓冲层上的高温u‑GaN层；位于高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层；位于高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，低温A...
该专利属于聚灿光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。