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本发明涉及具有替代通道材料的电性绝缘鳍片结构及其制法。提供数种半导体结构及制造方法，例如，该方法包含用下列步骤来制造半导体鳍片结构：提供在衬底上方延伸的鳍片结构，该鳍片结构包含第一鳍片部分、配置于该第一鳍片部分上面的第二鳍片部分、以及在该第...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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