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本发明描述了一种高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管包括多个场板。在第一实施方式中，HEMT包括：第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料被设置以形成一个异质结，在所述异质结处出现二维电子气；以及一个源极电...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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