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本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备及制膜方法，在本发明的设备中，包括反应腔体，内部设置有上极板和下级板；将下级板划包括沉积板和槽型机构，沉积板盖设于槽型机构的槽型开口上，形成一容置空间。将槽型机构的外表面覆盖一层由绝缘材料形成的绝...
该专利属于成都西沃克真空科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都西沃克真空科技有限公司授权不得商用。

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