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本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p‑n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两相邻的p‑n量子阱器...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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