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本发明属于存储器技术领域，具体为一种浮栅存储器及其制备方法和控制方法。本发明浮栅存储器包括：衬底，位于衬底上的二维材料层，位于二维材料层两侧的源极和漏极，位于二维材料层上的浮栅堆叠（包括隧穿氧化层和电荷俘获层），位于所述浮栅堆叠上的控制栅堆...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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