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本发明涉及的光电二极管，可以扩展光的吸收波段，完成从可见光到红外光波段(400nm～1350nm)的探测，且在0.8μm～0.9μm以及1.1μm～1.35μm两个重要波段均具有较高响应性。其结构包括：含一个开口的重掺杂N型Si衬底，N型S...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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