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用于固定电极隧穿识别的可制造亚3纳米钯间隙器件制造技术
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下载用于固定电极隧穿识别的可制造亚3纳米钯间隙器件的技术资料
文档序号:13305938
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提供一种在纳米器件中制造纳米间隙的技术。在晶片上设置氧化物。在氧化物上设置纳米线。施加氦离子束以将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分,从而在纳米器件中形成纳米间隙。施加氦离子束切割纳米间隙在纳米间隙的至少一个开口附近形成纳米线材料的...
该专利属于格罗方德半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格罗方德半导体有限公司授权不得商用。
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