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一种多孔隙存储器设备，诸如存储器或开关，可以提供顶部和底部电极，存储器材料层(例如，SiOx)被定位在电极之间。存储器材料层可以提供纳米多孔隙结构。在某些实施例中，纳米多孔隙结构可以电化学地形成，诸如通过阳极蚀刻。穿透存储器材料层的细丝的电...
该专利属于威廉马歇莱思大学所有，仅供学习研究参考，未经过威廉马歇莱思大学授权不得商用。

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