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本实用新型公开了一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台...
该专利属于聚灿光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技股份有限公司授权不得商用。

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