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本发明涉及氧化锗预清洁模块和方法。在一些实施方案中，一种用于集成电路制造的方法包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅和锗。去除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积在含氧化硅的表面上，并且升华所述含卤素的预清洁材料的一部分以...
该专利属于ASMIP控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASMIP控股有限公司授权不得商用。

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