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本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明隧穿场效应晶体管包括：二维材料层；分别位于所述二维材料层两侧的金属源极和金属漏极，金属源极和金属漏极具有不同的功函数，与二维材料层形成极性相反的电接触；位于二维材料层...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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