温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法，其包括将装有碳化硅原料、籽晶的石墨坩埚放入SiC晶体生长炉，将含氧的气体如二氧化碳或氧气通过管道直接引入到石墨坩埚，从而生长出高质量碳化硅晶体。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本...该专利属于北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司授权不得商用。