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本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法，在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀控制样品厚度，运用翻面技术，经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀，就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。该制备方法简单、可操...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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