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本发明涉及一种光电子器件(5)，包括：半导体衬底(10)，其可选地掺杂有第一导电类型；第一半导体区(14)，其电连接到掺杂有第一导电类型或相反的第二导电类型的衬底，并且比所述衬底掺杂更重；在所述第一半导体区上存在的第一发光二极管(DEL)的...
该专利属于艾利迪公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾利迪公司授权不得商用。

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