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本发明的静电测试控片以及静电测试方法中，提供的静电测试控片包括半导体衬底，以及有序排布于所述半导体衬底上的若干个静电测试单元，所述静电测试单元包括一层间电容结构，所述层间电容结构包括依次层叠于半导体衬底上的第一金属层、绝缘介质层以及第二金属...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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