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本发明涉及有机电子学技术领域，更具体地，涉及一种基于高介电常数(高K材料)的有机非易失性的存储器件及其制备方法。本发明以高K材料氧化铪为电荷捕获层，高K材料氧化铝为阻挡层，聚α-甲基苯乙烯为隧穿层，并五苯为有源层。氧化铪的高密度深能级使其成...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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