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本实用新型提供了一种GaN器件，其包括衬底以及在衬底上由下至上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂AlXGa1-XN渐变层、N型GaN外延层和器件结构层，P型轻掺杂AlXGa1-XN渐变层与N型GaN外延层形成PN结耗尽区。通过上述方式，本实...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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