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一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管制造技术
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文档序号:13238920
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本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种SA-LIGBT。本发明的主要方案为,本发明中的N型阱区内部P+阳极区和N+阳极区,且P+阳极区和N+阳极区分别由多列沿器件横向方向相互平行的P+阳极子区和N+阳极子区构成,同时沿器件纵向方向均为分...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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