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本发明涉及磁电阻随机存储器(MRAM)，尤其涉及一种利用电场辅助及磁畴漏磁场实现写操作的垂直磁化的磁电阻随机存储器，包括：磁性隧道结、非磁性的隔离层、磁纳米线，磁性隧道结和磁纳米线之间由非磁性的隔离层隔开，磁纳米线内含有磁畴，磁性隧道结包含...
该专利属于中电海康集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电海康集团有限公司授权不得商用。

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