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本实用新型提供了一种半导体器件结构，包括：N型掺杂的硅衬底；形成于所述硅衬底正面内的空腔；形成于所述硅衬底正面上的单晶硅层；形成于所述单晶硅层中并暴露所述空腔的通孔。本实用新型使用单一的N型掺杂的硅衬底形成空腔结构，工艺简单，成本较低。...该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。