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本发明公开了一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法，通过增加手臂U型槽深度，加大U型两侧距离，将取片位置设置在晶片的边缘位置，减少与晶片接触面积，以避免抓取或放置晶片有蹭到甚至直接撞击晶片；通过中空皮碗减小晶片的接触面积...
该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。

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