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本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(AlxGa1-x)yIn1-yP子电池，AlzGa1-zAs子电池，GamIn1-mP组分渐变缓冲层，InP子电池窗口层和InP子电池发射区层，...
该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。

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