温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型InxGa1-xN层依次...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。