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一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法技术
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文档序号:13200580
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本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法,所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极,其特征在于,n型掺杂...
该专利属于南京邮电大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京邮电大学授权不得商用。
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