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本发明涉及一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片上覆盖临时键合薄膜，制作第一种子层和金属柱；（2）去掉露出的第一种子层，将第一芯片贴在临时键合薄膜上，并覆盖第一绝缘树脂，金属柱的顶部露出第一绝缘树脂；（3）在第一...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种多层堆叠扇出型封装结构及制备方法，包括以下步骤：（1）在承载片上覆盖临时键合薄膜，制作第一种子层和金属柱；（2）去掉露出的第一种子层，将第一芯片贴在临时键合薄膜上，并覆盖第一绝缘树脂，金属柱的顶部露出第一绝缘树脂；（3）在第一...