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本发明公开了一种简化的IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该IBC电池结构，包括：减反层、N型硅片基体、掺杂层、钝化层、负电极和正电极，其中：减反层设在N型硅片基体的正面，掺杂层包括n...该专利属于西安电子科技大学;中电投西安太阳能电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学;中电投西安太阳能电力有限公司授权不得商用。