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本发明提供一种用于测量SRAM的传输门器件的阈值电压的方法和电路。所述方法包括：为SRAM的上拉晶体管的衬底施加第一电压；为下拉晶体管和传输门晶体管的衬底施加第二电压；为传输门晶体管的漏极施加第三电压；将待测传输门晶体管的源极节点预设为低电...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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