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提供了瞬时电压抑制(TVS)设备(100)和构成该设备(100)的方法。TVS设备(100)包括由第一传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第一层(104)，在第一层(104)的至少一部分上方由第二传导类型材料形成的宽带隙半导体材料的第二层(...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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