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本发明实施例公开了一种肖特基二极管及其制作方法。该方法包括：在晶元正面作为P阱注入的阻挡层形成碗状开口；利用所述碗状开口为掩膜窗口，注入用于形成P阱的离子。因作为P阱离子注入的掩膜窗口为碗状开口，通过离子注入工艺即可形成P阱，省略了高温推结...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。