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本发明公开了一种掺杂磁性半导体梯度材料制备方法。其主要步骤为：1)将氧化物半导体粉末和磁性氧化物粉末按照磁性氧化物粉末摩尔百分数为0％～25％混合起来进行烧结，得到不同磁性元素含量的靶材；2)将不同磁性元素含量的靶材置于多靶脉冲激光沉积系统...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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