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本发明涉及一种金刚石膜表面处理方法，属于金刚石膜制备技术领域。以单面抛光的硅片为基底，采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜；沉积完成后，在参数不变的基础上，通入流量分别为0～4sccm氧气和11～15sccm氩气的混合气体处理1～3小...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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