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本发明公开了一种IBC电池结构及其制作工艺方法，主要解决现有技术制作IBC电池工艺复杂，制造成本高昂的问题。该N型IBC电池，包括减反层、硅片基体、掺杂层、钝化层及金属电极，其特征在于：减反层设在硅片基体的正面，硅掺杂层包括n+重掺杂层和p...该专利属于西安电子科技大学;中电投西安太阳能电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学;中电投西安太阳能电力有限公司授权不得商用。