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本发明公开一种薄膜晶体管结构的制造方法，其通过自对准及一掀离工艺来制作氧化物半导体层，并且通过另一掀离工艺来制作源极及漏极，以解决现有技术进行蚀刻时所产生的损伤半导体沟道的问题，及增加工序繁复从而提升工艺成本的问题。...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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