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基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件制造技术
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下载基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件的技术资料
文档序号:13176682
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基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底;p‑型二维层状薄膜材料薄膜层,所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石...
该专利属于南京大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学授权不得商用。
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