温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽中形成有蚀刻停止层；以及在所述蚀刻停止层上依次形成粘合层、功函数层、扩散阻挡层和导电层。根据本发明提供的半导体器件的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。