温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种生长大尺寸低缺陷碳化硅单晶和晶片的方法，解决了大直径SiC晶体中的位错缺陷的难题。步骤为：使用具有较多缺陷或较少缺陷且基本平行于（0001）面的大直径SiC晶片作为籽晶，生长出SiC晶锭，将晶锭加工出偏角最大的晶片作为籽晶，...
该专利属于中国电子科技集团公司第二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。