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本申请案涉及一种具有护圈区域反射结构的背照式图像传感器。光子检测器包含接近半导体层的前侧而安置的单光子雪崩二极管SPAD。所述SPAD包含倍增结，所述倍增结经反向偏置而高于击穿电压，使得被透过所述半导体层的背侧引导到所述SPAD中的光触发雪...
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