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本发明公开了一种基于Sr(Ti1‑xMgx)O3‑x的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从制备工艺简化...
该专利属于山东科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东科技大学授权不得商用。

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