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一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法技术
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下载一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法的技术资料
文档序号:13162426
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本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法,其特征在于:包含以下步骤:第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜,然后在Si膜上沉积一层Mg膜;第二、退火工艺,沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火,最后制备得到Mg2S...
该专利属于贵州大学所有,仅供学习研究参考,未经过贵州大学授权不得商用。
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