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n型SiC单晶及其制造方法技术
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文档序号:13160392
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提供具有低电阻率且贯穿位错密度小的n型SiC单晶。该n型SiC单晶为包含锗和氮的n型SiC单晶,其中锗与氮的密度比[Ge/N]满足0.17<[Ge/N]<1.60的关系。...
该专利属于丰田自动车株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。
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