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本发明公开了一种沟槽栅功率晶体管，包括：多个呈T型结构栅极沟槽，在各栅极沟槽的底部沟槽中填充有栅极多晶硅、顶部沟槽中填充有第一介质层；源区形成于各栅极沟槽之间的体结注入层中；源区的深度大于对应的栅极沟槽的顶部沟槽的深度；各源区的顶部的第一接...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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