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本发明公开了隧道磁电阻效应存储装置，包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元；第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层；第二磁头单元包括第二电极层；轨道自由层设于第一绝缘层和第二电...
该专利属于华为技术有限公司;复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司;复旦大学授权不得商用。

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