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本发明涉及薄膜制造方法，该方法包括：配置基板的步骤；准备原料物质的步骤，所述原料物质包括以SiH2为基本结构，在所述基本结构的两侧线性结合包含碳、氧及氮中至少一个的官能团所构成的化合物；将所述原料物质气化，向腔室内装载所述基板的步骤；以及向...
该专利属于圆益IPS股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆益IPS股份有限公司授权不得商用。

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