温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种DMOS的终端保护环结构的制造方法，包括下列步骤：提供N型衬底；在所述N型衬底上形成N型层，所述N型衬底的掺杂浓度大于所述N型层；向所述N型层内注入P型杂质离子，注入剂量为1×1012～5×1013/cm2；在所述N型层上形成...
该专利属于无锡华润微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。