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本发明涉及一种石墨烯LED芯片的制备方法，步骤包括：将经过硫酸水溶液浸泡并涂布于基板的石墨烯薄膜干燥后形成石墨烯透明下电极；采用原子力显微镜制造包括至少一个石墨烯纳米带的具有超晶格结构的石墨烯层，或者，通过氧化还原并透析的方式制备由石墨烯量...
该专利属于白德旭所有，仅供学习研究参考，未经过白德旭授权不得商用。

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